深圳市羽杰科技MLJ-WG500氮化镓清洗剂，针对GaN材料特性研发，金属离子残留≤0.1ppm，有机物去除率≥99.2%，适配多领域半导体清洗，提供高效低损环保解决方案。

     氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借3.4 eV的禁带宽度、高电子迁移率等优势，广泛应用于消费电子快充、5G通信、数据中心电源等领域。其表面清洁度直接决定器件导通电阻、开关损耗及使用寿命，针对氮化镓材料易氧化、对污染物敏感的特性，深圳市羽杰科技自主研发MLJ-WG500氮化镓专用清洗剂，以精准配方与卓越性能，满足6-8英寸氮化镓晶圆及器件全流程清洗需求，助力提升半导体器件良率与可靠性。

一、核心技术优势：精准适配氮化镓材料特性

1. 全维度污染物清除，残留量达行业严苛标准

     MLJ-WG500采用改良型类APM溶剂体系，融合碱性组分与复合氧化剂（过氧乙醇-硼酸钠复配体系），可同步高效清除氮化镓表面有机污染物、金属杂质及微粒污染，解决传统清洗方法难以兼顾多类型污染物的痛点。经原子发射光谱（AES）检测，清洗后表面碳（C）、氧（O）残留量分别低于0.05 atomic%、0.08 atomic%，金属离子（Na⁺、K⁺、Fe³⁺等）总残留量≤0.1 ppm，远优于行业0.5 ppm的平均标准，有效避免高温制程中杂质扩散对器件性能的影响。

2. 低损伤表面优化，保障材料本征性能

     针对氮化镓六方晶体结构特性，MLJ-WG500通过精准调控蚀刻速率（0.02-0.05 nm/min），在去除表面缺陷层的同时，避免过度蚀刻导致的表面粗糙化。经原子力显微镜（AFM）测试，清洗后氮化镓表面均方根粗糙度（RMS）≤0.2 nm，表面平整度较传统清洗剂提升40%，且Ga/N原子比稳定维持在1:1.02±0.03的理想范围，无明显组分偏离。同时，配方中添加专用缓蚀组分，可形成纳米级保护膜，有效防止清洗后表面再氧化，静置24小时后氧化层厚度增长≤0.3 nm。

3. 高兼容性配方，适配多场景工艺需求

      MLJ-WG500具备优异的材料兼容性，对硅基氮化镓（GaN-on-Si）、蓝宝石衬底氮化镓等主流技术路线产品无腐蚀损伤，可兼容光刻胶剥离后清洗、金属化前预处理、封装后残留清洗等多工艺环节。清洗液pH值稳定在10.5±0.3，工作温度范围为25-45℃，无需高温环境即可实现高效清洗，相较于传统RCA清洗法，化学品消耗量减少35%，能耗降低40%，兼具环保性与经济性。

二、关键技术参数

三、典型应用场景

MLJ-WG500凭借精准的性能调控，已广泛适配氮化镓功率器件、射频器件及光电子器件的生产流程，具体应用包括：

• 消费电子领域：氮化镓快充适配器芯片、笔记本电脑电源管理芯片的金属化前清洗，可使器件开关损耗降低15-20%，能效提升至95%以上；

• 通信领域：5G基站射频功率放大器（PA）氮化镓器件清洗，有效提升信号传输速率与覆盖范围，减少杂波干扰；

• 数据中心/汽车电子：服务器电源、车载充电器（OBC）氮化镓模块封装后残留清洗，满足车规级AEC-Q101认证对清洁度的严苛要求；

• 晶圆制造领域：6-8英寸氮化镓外延片清洗，助力提升外延层生长质量，降低缺陷密度至10² cm⁻²以下。

四、产品价值与承诺

深圳市羽杰科技深耕半导体清洗材料领域，MLJ-WG500氮化镓专用清洗剂通过ISO 9001质量管理体系认证，每批次产品均经过严格的性能检测，确保参数一致性与稳定性。产品可根据客户工艺需求提供定制化调整方案，搭配自动化清洗设备使用时，单台设备日均清洗量可达4500-5000片晶圆，清洗均匀性（CV值）稳定在3%以内，助力客户实现产能提升与成本优化。

      羽杰科技始终以“赋能第三代半导体产业升级”为使命，依托核心配方研发能力，为氮化镓器件生产提供高效、低损、环保的清洗解决方案，携手客户共筑高端半导体制造核心竞争力。

本文标题：MLJ-WG500氮化镓清洗剂_半导体GaN材料高效清洗解决方案-羽杰科技

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