
在先进半导体封装与高阶 HDI 载板制造中,蚀刻残留无机盐、高温碳化光阻、等离子改性残胶及金属离子再沉积等复合型污垢,已成为制约良率提升的关键瓶颈。传统多槽分步清洗工艺不仅流程繁琐,更易造成微蚀、变色等二次损伤。针对这一痛点,深圳市羽杰科技有限公司专项研发了电子级多层残盐及光阻剥离清洗剂(YJ-ELITE V2.0),以一液之力实现极净清洗,全面替代 NMP、TMAH、强碱等传统高危体系。
颠覆“除胶+脱盐+中和”多槽工艺,单药剂同步剥离有机残胶、碳化层与无机残盐,无需切换药液,大幅缩短流程,降低设备与人工成本。
搭载多元复合缓蚀钝化技术,在铜、铝、银、镍、金等基材表面形成致密保护膜,无微蚀、无变色、无晶界腐蚀,完整保留器件导电性能。
零氢键供体、低表面张力配方,可深度渗入 TSV 硅通孔、微凸点阵列、载板盲孔等高深宽比微结构,实现无死角洁净。
采用半导体级高纯原料,全程无尘生产。关键杂质指标严苛控制:
总金属离子 ≤ 20 ppb(ICP-MS 检测)
颗粒物(≥0.2μm)≤ 50 pcs/100mL
水分 ≤ 0.1%,TOC ≤ 50 ppb
有效避免针孔、附着力不良等问题。
配方无卤素、无 TMAH、无酰胺类溶剂,低 VOC、高闪点,符合 RoHS/REACH 规范,大幅降低职业健康与环保风险。
适配超声波、兆声波、喷淋、浸泡等多种工艺,兼容干法/湿法蚀刻、等离子改性等后清洗场景,无需改造现有设备。
应用领域 |
核心解决痛点 |
|---|---|
先进封装 |
WLP/FO/2.5D/3D 封装 RDL 层残盐残胶、TSV 通孔清洗、临时键合工装返工 |
高端 PCB/载板 |
高阶 HDI、SLP、IC 载板蚀刻终洗;激光钻孔钻污去除;阻焊前超净处理 |
光电显示 |
Mini/Micro-LED 巨量转移治具返修、OLED 薄膜封装前超净处理 |
功率半导体 |
IGBT、SiC/GaN 模块金属化清洗;射频器件银/铜布线无损养护 |
检测项目 |
规格指标 |
测试方法 |
|---|---|---|
外观 |
无色至淡黄色透明液体 |
目视法 |
pH 值(原液,25℃) |
9.5 - 10.5 |
高精度 pH 计 |
水分 |
≤ 0.1% (1000 ppm) |
卡尔费休法 |
总金属离子 |
≤ 20 ppb |
ICP-MS |
颗粒物 (≥0.2μm) |
≤ 50 pcs/100mL |
激光颗粒计数器 |
卤素含量 |
未检出 (<50 ppm) |
离子色谱法 |
TOC |
≤ 50 ppb |
TOC 分析仪 |
基材腐蚀性 |
Cu/Al/Ag/Au/Ni 无明显腐蚀、变色 |
浸泡+金相观测 |
稳定性 |
常温密封 12 个月无分层、无沉淀 |
加速老化试验 |
使用浓度:原液使用(禁止兑水,避免破坏螯合与缓蚀体系)
工作温度:通用工况 45-70℃;银/铝敏感基材 40-50℃
处理时间:轻度污垢 5-8 min,重度碳化/厚残盐 10-15 min
辅助方式:28-40kHz 超声波或 1MHz 兆声波;深孔结构建议搭配负压鼓泡
漂洗要求:18.2 MΩ·cm 超纯水两段逆流漂洗
干燥方式:高纯氮气吹干或 IPA 蒸汽干燥,避免高温热风直吹
常规包装:1L / 5L 食品级 HDPE 高纯瓶;20L / 200L 内衬 PTFE 特氟龙防腐桶
定制服务:支持半导体级无菌洁净包装、指定容量分装、配方微调,适配自动化产线
储存条件:5-35℃ 阴凉通风无尘环境,远离热源与强氧化剂
保质期:未开封 12 个月;开封后建议 30 日内用完
羽杰科技电子级多层残盐及光阻一体化剥离清洗剂,以超高纯度、极致兼容、一液高效的核心优势,为半导体先进封装、高阶 HDI 载板及精密光电制造提供可靠的洁净保障。我们可提供免费试样、工艺验证与技术支持,助力客户提升良率、降本增效。
制造商:深圳市羽杰科技有限公司
技术对接:0755-36564349 / 18300002010
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